Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRG8P08N120KD-EPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IRG8P08N120KD-EPBF
Beschreibung: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 45nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 89W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 5A, 47Ohm, 15V
Schalten der Energie 300µJ (on), 300µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 20ns/160ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AD
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 15A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 15A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRG8P60N120KDPBF
Infineon Technologies
$0
NGTB15N120IHWG
ON Semiconductor
$0
NGTB50N60FL2WG
ON Semiconductor
$0
NGTB15N120IHTG
ON Semiconductor
$0
IRG7CH20K10EF
Infineon Technologies
$0