Image is for reference only , details as Specifications

NGTB50N60FL2WG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB50N60FL2WG
Beschreibung: IGBT 600V 50A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 220nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 417W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 1.5mJ (on), 460µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 100ns/237ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr) 94ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 200A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NGTB15N120IHTG
ON Semiconductor
$0
IRG7CH20K10EF
Infineon Technologies
$0
IRG7CH11K10EF
Infineon Technologies
$0
RJP4301APP-M0#T2
Renesas Electronics America
$0
IRG7PK35UD1MPBF
Infineon Technologies
$0