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IRFU3518-701PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFU3518-701PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (Max.) 110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK (LF701)
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1710pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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