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IRF7601PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF7601PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket Micro8™
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 650pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V

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