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IRFSL23N15DPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFSL23N15DPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 78 pcs

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