IRFL4315PBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRFL4315PBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 185mOhm @ 1.6A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.8W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-223 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 19nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 420pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 53 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1