IRFHS8242TRPBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRFHS8242TRPBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13mOhm @ 8.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.1W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 10.4nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 653pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 70 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.17 | $0.17 | $0.16 |
Minimale: 1