IPD50R1K4CEAUMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPD50R1K4CEAUMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ CE |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.4Ohm @ 900mA, 13V |
Verlustleistung (Max.) | 42W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO252-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 8.2nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 178pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Auf Lager 63 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.17 | $0.17 | $0.16 |
Minimale: 1