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IRFHM8337TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFHM8337TRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 755pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 72 pcs

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