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BSS606NH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSS606NH6327XTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 15µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 60mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT89
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.6nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 657pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 1092 pcs

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