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IRFH7911TR2PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRFH7911TR2PBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2.4W, 3.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 18-PowerVQFN
Basis-Teilenummer IRFH7911PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1060pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A, 28A

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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