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IRF8852TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRF8852TRPBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Basis-Teilenummer IRF8852PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1151pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.8A

Auf Lager 99 pcs

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