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IRF6893MTR1PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6893MTR1PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 29A MX
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.6mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ MX
Gate Charge (Qg) (Max.) 38nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3480pF @ 13V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 29A (Ta), 168A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 69 pcs

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