IRF6893MTR1PBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRF6893MTR1PBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 29A MX |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.6mOhm @ 29A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DIRECTFET™ MX |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 38nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3480pF @ 13V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 29A (Ta), 168A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 69 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1