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PMN25EN,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMN25EN,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 23mOhm @ 6.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 492pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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