Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRF6678

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6678
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ MX
Gate Charge (Qg) (Max.) 65nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5640pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4994 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.39 $2.34 $2.30
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPB049NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
$2.37
AUIRFR5305TRL
Infineon Technologies
$0
BSC019N06NSATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF6794MTR1PBF
Infineon Technologies
$0