Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
BSC019N06NSATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | BSC019N06NSATMA1 |
| Beschreibung: | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 74µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.95mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 136W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TDSON-8 FL |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 77nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5.25nF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 4463 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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