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IRF6662TR1PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6662TR1PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MZ
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 22mOhm @ 8.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ MZ
Gate Charge (Qg) (Max.) 31nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1360pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 98 pcs

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