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IRF6603

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6603
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) +20V, -12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MT
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ MT
Gate Charge (Qg) (Max.) 72nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6590pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 27A (Ta), 92A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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