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IRF6602

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6602
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MQ
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ MQ
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1420pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta), 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 54 pcs

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