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IRF5802
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IRF5802 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.8nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 88pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 900mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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