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IRF5806

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF5806
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 86mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket Micro6™(TSOP-6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 594pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 88 pcs

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