IRF5806
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRF5806 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 86mOhm @ 4A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 2W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 11.4nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 594pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 88 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1