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IRF150P221XKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF150P221XKMA1
Beschreibung: TRENCH_MOSFETS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie StrongIRFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 264µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 341W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6000pF @ 75V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 186A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 380 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.84 $6.70 $6.57
Minimale: 1

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