Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
TSM60NB099PW C1G
| Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TSM60NB099PW C1G |
| Beschreibung: | MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 99mOhm @ 11.7A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 329W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 62nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2587pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 38A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 1988 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.68 | $6.55 | $6.42 |
Minimale: 1
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