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IRF1324LPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF1324LPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 195A TO262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.65mOhm @ 195A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Gate Charge (Qg) (Max.) 240nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7590pF @ 24V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

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