IRF100P218XKMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRF100P218XKMA1 |
Beschreibung: | TRENCH_MOSFETS |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | StrongIRFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 278µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.28mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 556W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247AC |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 555nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 25000pF @ 50V |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 443 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$7.45 | $7.30 | $7.15 |
Minimale: 1