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IRF100P218XKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF100P218XKMA1
Beschreibung: TRENCH_MOSFETS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie StrongIRFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 278µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.28mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 556W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max.) 555nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 25000pF @ 50V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 443 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.45 $7.30 $7.15
Minimale: 1

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