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IRF200P222

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF200P222
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie StrongIRFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.6mOhm @ 82A, 10V
Verlustleistung (Max.) 556W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max.) 203nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 9820pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 182A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 392 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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