Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPZ60R037P7XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPZ60R037P7XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.48mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 37mOhm @ 29.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 255W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 121nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5243pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IXFX21N100F
IXYS-RF
$0
IXFN24N100F
IXYS-RF
$0
IXFK55N50F
IXYS-RF
$0
IPS090N03LGBKMA1
Infineon Technologies
$0
IPS075N03LGBKMA1
Infineon Technologies
$0