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IXFN24N100F

Hersteller: IXYS-RF
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFN24N100F
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS-RF
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerRF™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 390mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 600W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max.) 195nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6600pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 69 pcs

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