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IPI020N06NAKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI020N06NAKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Last Time Buy
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 143µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta), 214W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 106nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7800pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 29A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.61 $2.56 $2.51
Minimale: 1

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