Image is for reference only , details as Specifications

IPU80R2K0P7AKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPU80R2K0P7AKMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2Ohm @ 940mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 24W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 175pF @ 500V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1411 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.83 $0.81 $0.80
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPS80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
$0.83
STD80N4F6
STMicroelectronics
$0
SI4427BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TSM80N1R2CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SI4490DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0