Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

STD80N4F6

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STD80N4F6
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Teilenummer STD80
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (Max.) 70W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 36nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2150pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI4427BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TSM80N1R2CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SI4490DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TK65S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TSM4NB65CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.78