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IPSA70R2K0CEAKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPSA70R2K0CEAKMA1
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 163pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.65 $0.64 $0.62
Minimale: 1

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