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SISH110DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SISH110DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 6050 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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