Image is for reference only , details as Specifications

IPS65R1K0CEAKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPS65R1K0CEAKMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CE
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 37W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-251
Gate Charge (Qg) (Max.) 15.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 328pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies
$0
IPA80R460CEXKSA1
Infineon Technologies
$0
IPA80R1K4CEXKSA1
Infineon Technologies
$0
IPA60R800CEXKSA1
Infineon Technologies
$0
IPA50R650CEXKSA2
Infineon Technologies
$0