IPS65R1K0CEAKMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPS65R1K0CEAKMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ CE |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 37W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-251 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 15.3nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 328pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 97 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1