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IPA80R650CEXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA80R650CEXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V TO-220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CE
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 470µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 33W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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