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IPP60R190P6XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP60R190P6XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P6
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 630µ
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 151W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1750pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 6221 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.65 $2.60 $2.55
Minimale: 1

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