Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IRF5210LPBF
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IRF5210LPBF |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 100V 38A TO-262 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 60mOhm @ 38A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-262 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 230nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2780pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 38A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 1462 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.54 | $2.49 | $2.44 |
Minimale: 1
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