Image is for reference only , details as Specifications

IPN80R2K4P7ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPN80R2K4P7ATMA1
Beschreibung: COOLMOS P7 800V SOT-223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 6.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 150pF @ 500V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3391 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STS11N3LLH5
STMicroelectronics
$0.85
DMP3007SFG-7
Diodes Incorporated
$0
SQ7414CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.35
TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0