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TSM130NB06CR RLG

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM130NB06CR RLG
Beschreibung: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PDFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 36nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2380pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta), 51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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