TSM130NB06CR RLG
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TSM130NB06CR RLG |
Beschreibung: | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-PDFN (5x6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 36nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2380pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta), 51A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 2500 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.35 | $0.34 | $0.34 |
Minimale: 1