IPN70R2K1CEATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPN70R2K1CEATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-223-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.1Ohm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 5W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT223 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.8nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 750V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 163pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 94 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.22 | $0.22 | $0.21 |
Minimale: 1