AONR21357
Hersteller: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | AONR21357 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 7.8mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 5W (Ta), 30W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-DFN-EP (3x3) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 70nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2830pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21A (Ta), 34A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 57 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.21 | $0.21 | $0.20 |
Minimale: 1