IPP80N06S2L11AKSA2
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPP80N06S2L11AKSA2 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10.7mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 158W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO220-3-1 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 80nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2075pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 66 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.25 | $1.23 | $1.20 |
Minimale: 1