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IPD50N08S413ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD50N08S413ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 33µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13.2mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 72W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3-313
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1711pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.42 $0.41 $0.40
Minimale: 1

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