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DMT6007LFG-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMT6007LFG-13
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 41.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2090pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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