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IPB65R660CFDAATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB65R660CFDAATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 660mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 62.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 543pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.03 $1.01 $0.99
Minimale: 1

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