Image is for reference only , details as Specifications

IRL8114PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRL8114PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (Max.) 115W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 29nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2660pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.03 $1.01 $0.99
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

AOW11S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.03
BSB280N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
$0
PSMN1R0-40ULDX
Nexperia USA Inc.
$1.04
NVMFS5C410NLAFT1G
ON Semiconductor
$1.06
FDP16AN08A0
ON Semiconductor
$1.06