Image is for reference only , details as Specifications

IPB60R600P6ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB60R600P6ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P6
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 63W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 557pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.71 $0.70 $0.68
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

ZVN0545ASTZ
Diodes Incorporated
$0.71
NVMFSW6D1N08HT1G
ON Semiconductor
$0.71
AOWF12N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.72
AOT13N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.72
AOT412
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.72