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NVMFSW6D1N08HT1G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | NVMFSW6D1N08HT1G |
| Beschreibung: | T8 80V 1 PART PROLIFERATI |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | - |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 3.8W (Ta), 104W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 32nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2085pF @ 40V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 17A (Ta), 89A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 59 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.71 | $0.70 | $0.68 |
Minimale: 1
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