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IPD60R2K1CEBTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD60R2K1CEBTMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CE
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 22W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 140pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 72 pcs

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