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IMZ120R350M1HXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IMZ120R350M1HXKSA1
Beschreibung: COOLSIC MOSFETS 1200V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolSiC™
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) +23V, -7V
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 350mOhm @ 2A, 18V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-4-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.3nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1.2kV
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 182pF @ 800V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$9.26 $9.07 $8.89
Minimale: 1

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