IMZ120R350M1HXKSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IMZ120R350M1HXKSA1 |
Beschreibung: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolSiC™ |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | +23V, -7V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-4 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 350mOhm @ 2A, 18V |
Verlustleistung (Max.) | 60W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-4-1 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.3nC @ 18V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 182pF @ 800V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Auf Lager 96 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$9.26 | $9.07 | $8.89 |
Minimale: 1